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spur

金虫 (正式写手)

[交流] 请大家帮我看看这个计算结果，多谢！ 已有2人参与

请教各位，下图是我最近计算一个体系的结果。用稍微粗略的K点，可以得到自旋向下的态密度跨过费米能级。但如果用更多的K点，再加上设置NEDOS，就看出来自旋向下的态密度有个0.06 eV的带隙。这样的体系是否还能称为半金属或者类似半金属性质？谢谢！
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1楼 2011-12-12 11:58:02
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uuv2010

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更多的k点和更多的nbands的计算结果应该更加可信
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2楼2011-12-12 13:53:18
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spur

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-12 13:53:18:
更多的k点和更多的nbands的计算结果应该更加可信

多谢。那对于该结果，你觉得是否还可以说是半金属(half metal)或者类似半金属(semi-half metal)性质？
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3楼2011-12-12 23:29:50
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uuv2010

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3楼: Originally posted by spur at 2011-12-12 23:29:50:
多谢。那对于该结果，你觉得是否还可以说是半金属(half metal)或者类似半金属(semi-half metal)性质？

你把能带图做出来就明确了，由于态密度需要一定的展宽，所以不如能带图明确。
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4楼2011-12-12 23:40:17
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spur

金虫 (正式写手)
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4楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-12 23:40:17:
你把能带图做出来就明确了，由于态密度需要一定的展宽，所以不如能带图明确。

做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看，自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑，一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说，是否能叫half-metal？或者semi-half metal？
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5楼2011-12-13 09:49:36
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franch

版主 (著名写手)
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5楼: Originally posted by spur at 2011-12-13 09:49:36:
做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看，自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑，一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说，是否能叫half-metal？或者semi-h ...

0.06 可以叫 half-metal 吧，，   问题是，，你确定你的结果没问题？  up,down区别也太大了吧
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遇弱则弱
6楼2011-12-13 10:11:26
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uuv2010

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5楼: Originally posted by spur at 2011-12-13 09:49:36:
做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看，自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑，一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说，是否能叫half-metal？或者semi-h ...

由于DFT对于gap的描述不够好，所以对于half-metal需要多角度验证一下。比如：如果体系中有3d过渡金属的话，需要考虑LDA+U或者杂化泛函看看这种性质是不是真实的。
能带中每条能带的位置是确定的，没有展宽的影响。态密度相当于对每个能级的展宽，所以受sigma的影响明显。
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7楼2011-12-13 10:25:30
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spur

金虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-13 10:25:30:
由于DFT对于gap的描述不够好，所以对于half-metal需要多角度验证一下。比如：如果体系中有3d过渡金属的话，需要考虑LDA+U或者杂化泛函看看这种性质是不是真实的。
能带中每条能带的位置是确定的，没有展宽的影响 ...

能带与态密度相对应。态密度展宽了，能带也应该是被展宽，即能带的色散曲线的振动幅度应该更大才对。当然，对于孤立的、非周期性体系，只有能级而没有能带，则能级是不会被展宽的。
不知道我的理解是否正确，还请指教！谢谢！

对于该体系，我没有加任何的其他设置，只采用了普通的DFT计算得到如图的结果。
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8楼2011-12-13 11:16:51
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