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spur

金虫 (正式写手)

[交流] 请大家帮我看看这个计算结果,多谢! 已有2人参与

请教各位,下图是我最近计算一个体系的结果。用稍微粗略的K点,可以得到自旋向下的态密度跨过费米能级。但如果用更多的K点,再加上设置NEDOS,就看出来自旋向下的态密度有个0.06 eV的带隙。这样的体系是否还能称为半金属或者类似半金属性质?谢谢!
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uuv2010

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
更多的k点和更多的nbands的计算结果应该更加可信
2楼2011-12-12 13:53:18
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spur

金虫 (正式写手)

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2楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-12 13:53:18:
更多的k点和更多的nbands的计算结果应该更加可信

多谢。那对于该结果,你觉得是否还可以说是半金属(half metal)或者类似半金属(semi-half metal)性质?
3楼2011-12-12 23:29:50
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uuv2010

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3楼: Originally posted by spur at 2011-12-12 23:29:50:
多谢。那对于该结果,你觉得是否还可以说是半金属(half metal)或者类似半金属(semi-half metal)性质?

你把能带图做出来就明确了,由于态密度需要一定的展宽,所以不如能带图明确。
4楼2011-12-12 23:40:17
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spur

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-12 23:40:17:
你把能带图做出来就明确了,由于态密度需要一定的展宽,所以不如能带图明确。

做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看,自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑,一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说,是否能叫half-metal?或者semi-half metal?
5楼2011-12-13 09:49:36
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franch

版主 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
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5楼: Originally posted by spur at 2011-12-13 09:49:36:
做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看,自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑,一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说,是否能叫half-metal?或者semi-h ...

0.06 可以叫 half-metal 吧,,   问题是,,你确定你的结果没问题?  up,down区别也太大了吧
遇弱则弱
6楼2011-12-13 10:11:26
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uuv2010

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5楼: Originally posted by spur at 2011-12-13 09:49:36:
做能带的时候同样要用到ismear和sigma。从能带来看,自旋向下带还是有个小的gap。当然从电子的热运动来简单考虑,一个0.06 eV的gap应该对电子的跃迁造成多大的影响。但严格来说,是否能叫half-metal?或者semi-h ...

由于DFT对于gap的描述不够好,所以对于half-metal需要多角度验证一下。比如:如果体系中有3d过渡金属的话,需要考虑LDA+U或者杂化泛函看看这种性质是不是真实的。
能带中每条能带的位置是确定的,没有展宽的影响。态密度相当于对每个能级的展宽,所以受sigma的影响明显。
7楼2011-12-13 10:25:30
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spur

金虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-12-13 10:25:30:
由于DFT对于gap的描述不够好,所以对于half-metal需要多角度验证一下。比如:如果体系中有3d过渡金属的话,需要考虑LDA+U或者杂化泛函看看这种性质是不是真实的。
能带中每条能带的位置是确定的,没有展宽的影响 ...

能带与态密度相对应。态密度展宽了,能带也应该是被展宽,即能带的色散曲线的振动幅度应该更大才对。当然,对于孤立的、非周期性体系,只有能级而没有能带,则能级是不会被展宽的。
不知道我的理解是否正确,还请指教!谢谢!

对于该体系,我没有加任何的其他设置,只采用了普通的DFT计算得到如图的结果。
8楼2011-12-13 11:16:51
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