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coolcoolsun

金虫 (小有名气)

[交流] 不同掺杂比下,掺铌钛酸锶费米能级位置的计算? 已有2人参与

STO单晶的电子亲和能大概为4.0EV,带隙3.2EV,现在的掺杂比,电阻率和迁移率如下图(常温)
Nb 浓度(wt%)                1.0           0.7                0.4            0.1

电阻率 ohm-cm        0.0035        0.0070           0.05          0.08

迁移率 cm2/v                9.0             8.5               8.5            6.5

是否可以用Ef=Ec+kT ln (Nd/Nc)计算不同掺杂比的费米能级位置。
Nd=Ni, 可以计算出来
但是Nc怎么算,特别是需要导带的电子态有效质量,这个怎么找,应该是多少?还有这样的计算对不对,有没有什么具体的意义,还有怎么判断掺杂后是简并的还是非简并的?
简并半导体中,载流子的浓度可以用掺杂的有效浓度表示,那非简并半导体,载流子浓度用什么表示?
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水师提督

金虫 (小有名气)

楼主 你是如何掺杂的呢,具体原料以及各原料的配比是多少呢
2楼2016-02-25 09:50:25
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水师提督

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 水师提督 at 2016-02-25 09:50:25
楼主 你是如何掺杂的呢,具体原料以及各原料的配比是多少呢

楼主你的这个掺杂比例是如何做到的呢
3楼2016-02-25 10:30:24
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静雅思听314

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by 水师提督 at 2016-02-25 10:30:24
楼主你的这个掺杂比例是如何做到的呢...

请问你是搞计算的还是实验的呢?
4楼2016-04-13 15:06:07
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