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不同掺杂比下,掺铌钛酸锶费米能级位置的计算？ 已有2人参与
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STO单晶的电子亲和能大概为4.0EV，带隙3.2EV,现在的掺杂比，电阻率和迁移率如下图(常温) Nb 浓度(wt%) 1.0 0.7 0.4 0.1 电阻率 ohm-cm 0.0035 0.0070 0.05 0.08 迁移率 cm2/v 9.0 8.5 8.5 6.5 是否可以用Ef=Ec+kT ln (Nd/Nc)计算不同掺杂比的费米能级位置。 Nd=Ni, 可以计算出来 但是Nc怎么算，特别是需要导带的电子态有效质量，这个怎么找，应该是多少？还有这样的计算对不对，有没有什么具体的意义，还有怎么判断掺杂后是简并的还是非简并的？ 简并半导体中，载流子的浓度可以用掺杂的有效浓度表示，那非简并半导体，载流子浓度用什么表示？ |
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