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417473277

木虫 (正式写手)

[求助] 热处理后电阻率为什么变大

各位虫友，我做的是半导体的磁控溅射镀膜，别人热处理后都是因为结晶性变好，电阻率减小，为什么我的不论多少度的热处理，热处理时间是1小时，电阻率都是变大呢？仔细分析数据，霍尔迁移率是增大的，但是载流子浓度减小很多，应该是载流子浓度减小导致的电阻率增大。
请问有没有有类似实验结果的虫友，怎么才能解释热处理导致的载流子浓度减小呢？
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1楼 2011-12-06 10:05:37
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longwangye

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
nofrunolif(金币+1): 鼓励交流 2011-12-07 19:56:28
我觉得载流子的应该一部分由缺陷比如空位什么的贡献 ，热处理比如退火会减小缺陷 自然就应该会减小载流子浓度了吧。
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7楼2011-12-07 15:50:25
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xjtu-sunhl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
417473277(金币+2): 好的，谢谢您的建议！ 2011-12-06 16:06:35
nofrunolif(金币+1): 谢谢交流 2011-12-06 19:30:42
电阻率与晶体结构密切相关，可以做个XRD物相分析，看看有没有新的相生成或者看看热处理过程中是否发生了反应。
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2楼2011-12-06 16:03:08
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longwangye

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
nofrunolif(金币+1): 欢迎交流 2011-12-07 09:05:05
417473277(金币+2): 晕，缺陷减少应该电阻率减小啊~关键是电阻率增大了，再者，为什么载流子减少呢？ 2011-12-07 10:32:13
应该是热处理使得一些缺陷减少了。 这样结构变好 迁移率增大。 但载流子就少了哈
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4楼2011-12-07 08:55:30
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zhufeitian02

金虫 (小有名气)

快乐心伤

【答案】应助回帖

417473277(金币+2): 嗯，这个第二相问题，容我再研究研究~ 2011-12-07 10:32:52
热处理涉及第二相的析出   可能会导致电阻变大
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立业为先
5楼2011-12-07 10:25:51
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