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缺陷结合能和形成能
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xycqy
铜虫
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虫号: 1005880
[交流]
缺陷结合能和形成能
小弟最近弄些缺陷的计算,读了一些文献关于缺陷来说总提到一个形成能和结合能。自己目前的理解是,结合能越大,越容易形成这种缺陷,形成能越小,也越容易形成。现在想算在含有一个空位的Fe的超胞中掺杂He,计算He和空位结合形成He-V复合体的结合能。看了好多文献都不太明白,而且算出来He和空位结合后的能量要比结合之前高,实验结果是He-V复合体很稳定,而且很容易形成,结合能比较高。有没有算过缺陷的大牛指点一下呢?结合能和形成能究竟有啥不一样呢?谢谢
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1楼
2011-12-05 22:29:09
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金虫
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★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
24楼
:
Originally posted by
valenhou001
at 2011-12-30 09:30:36:
文章上传到arxiv:cond-matter上了:
http://arxiv.org/pdf/1112.5733v1
欢迎阅读和指正。
是这一篇吗?下来看看学习下..
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27楼
2012-03-20 10:38:07
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stractor
金虫
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★ ★ ★
xycqy(金币
+2
):谢谢参与
cenwanglai(金币+2): 谢谢回复! 2011-12-06 07:09:34
你没有给出结合能公式,不能判断结合能是正的稳定还是负的时候稳定。而文献中都会给出结合能计算方法。
结合能是针对多个孤立缺陷而言,缺陷形成能是针对某一个缺陷而言。结合能是判断两个或多个孤立缺陷是容易聚集还是易于分离。
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2楼
2011-12-06 06:39:04
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leimiao_hit
木虫之王
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★
xycqy(金币
+2
):谢谢参与
文献中都会给出结合能计算方法
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4楼
2011-12-06 08:45:28
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xycqy
铜虫
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1楼
:
Originally posted by
xycqy
at 2011-12-05 22:29:09:
小弟最近弄些缺陷的计算,读了一些文献关于缺陷来说总提到一个形成能和结合能。自己目前的理解是,结合能越大,越容易形成这种缺陷,形成能越小,也越容易形成。现在想算在含有一个空位的Fe的超胞中掺杂He,计算H ...
我看的几个PRB的文献,有一个是这样的:A+B———C,那么结合能就是:A的形成能加上B的形成能,然后减去C的形成能。这样的话,形成能又是怎么算呢?假设A和B都是单个缺陷,他们的形成能容易算,可是形成的复合缺陷的形成能怎么计算呢?谢谢
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5楼
2011-12-06 08:47:29
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wangjb401
7楼
2011-12-06 08:58
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xycqy(金币
+2
):谢谢参与
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3楼
:
Originally posted by
zyxme
at 2011-12-06 06:53:19: 祝福
吾欲奔三十
10楼
2011-12-06 09:05
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xycqy(金币
+2
):谢谢参与
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