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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 缺陷结合能和形成能
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xycqy

铜虫 (初入文坛)

[交流] 缺陷结合能和形成能

小弟最近弄些缺陷的计算，读了一些文献关于缺陷来说总提到一个形成能和结合能。自己目前的理解是，结合能越大，越容易形成这种缺陷，形成能越小，也越容易形成。现在想算在含有一个空位的Fe的超胞中掺杂He，计算He和空位结合形成He-V复合体的结合能。看了好多文献都不太明白，而且算出来He和空位结合后的能量要比结合之前高，实验结果是He-V复合体很稳定，而且很容易形成，结合能比较高。有没有算过缺陷的大牛指点一下呢？结合能和形成能究竟有啥不一样呢？谢谢
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xycqy

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1楼 2011-12-05 22:29:09
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mlanqiang

木虫之王 (文学泰斗)
★
xycqy(金币+2):谢谢参与
帮顶一下吧
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16楼2011-12-06 09:54:39
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