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如何知道chemical vapor deposition参数。
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jfw1978
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[交流]
如何知道chemical vapor deposition参数。
试验经验,理论计算?
[
Last edited by daiqiguang on 2007-5-14 at 15:43
]
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1楼
2007-01-12 08:17:33
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jfw1978
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Originally posted by
zhangwengui330
at 2007-1-12 10:53 PM:
楼主做什么的CVD了??
金属化合物??有机物??或者是其他?
一般反应参数你得参照你原料的分解温度及反应温度,至于气压一般不是很高,压力太大会造成反应过快造成粒子沉积速度相对太快从而促使粒子间的团聚 ...
您说的很好,我是打算做金属氧化物,我也查到一些参照值,但是另我困惑的是文章大多只给了数值,而没有解释为什么要这么做。
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5楼
2007-01-12 23:07:39
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cometring
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性别: GG
专业: 催化化学
楼主把问题具体一些更好回答,不然就先看看相关的书吧,应该对你很有帮助
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2楼
2007-01-12 09:10:23
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jfw1978
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虫号: 277301
引用回帖:
Originally posted by
cometring
at 2007-1-12 09:10 AM:
楼主把问题具体一些更好回答,不然就先看看相关的书吧,应该对你很有帮助
比如实验所需温度,气压等等这些数值是经验值还是理论计算结果
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3楼
2007-01-12 22:43:52
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zhangwengui330
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虫号: 309984
注册: 2006-12-23
性别: GG
专业: 催化化学
管辖:
催化
★ ★ ★
rabbit7708(金币
+3
):不好意思,以前没看到您这个应助贴,加分晚了,请见谅!:)
楼主做什么的CVD了??
金属化合物??有机物??或者是其他?
一般反应参数你得参照你原料的分解温度及反应温度,至于气压一般不是很高,压力太大会造成反应过快造成粒子沉积速度相对太快从而促使粒子间的团聚,当然只是一般情况,有的必须是高压反应,如果高低压都可以选择的话建议楼主采用低压,设备要求也不高。
温度和压力的选择建议楼主看看课题相近或相似的文献,如果别人做过,那更好办,先适量重复别人做过的,然后再改进创新.
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4楼
2007-01-12 22:53:39
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