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求助半导体材料测试中关于光电流-时间测试分析的经典文章
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最近在所研究半导体材料（高阻半绝缘）电学性能测试过程中出现了一些异常现象，比如不同电压下暗电流随时间变化规律不同，很想对电流-时间变化机制有一个深入了解，如电压变化后材料内部的载流子产生-俘获-去俘获机制发生了哪些变化？如何从I-T曲线上进行分析？都有哪些辅助的分析表征方法等，但在网上没有搜索到合适的文献给予解释，不知哪位大侠能给出相关的经典文献？最好是能将I-T曲线与材料中的缺陷结合在一起的。 在此谢过 |
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售SCI文章，我:8.O.5.51O.5.4,科目齐全,可十急
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2楼2013-11-05 17:26:03
