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yaoo_1

木虫 (小有名气)

[求助] 关于硅能带图和态密度分析

问些新手的问题
还不太懂怎么分析能带图,想问版上的前辈们


问题:
想请问一下,这两张图的现象算是正常的吗?
这是用硅的2x2x2的超晶胞跑出来的图形,有做过结构优化
第一张是没有缺陷第二张为中心有一个缺陷
有找了一些相关资料,但看的不是很懂

如果是半导体费米能级位于导带和价带之间的地方,
从我图上看能带跟态密度,有缺陷的能带之间没有禁带的存在,
看起来好像价带顶部跑到导带,这样是变成导体了吗?
能带的分布变得较密集,较平缓的地方会有比较尖锐的DOS峰值。
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acridine

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-11-24 23:22:23
yaoo_1(金币+3): 谢谢交流,初学很多现象还不懂 2011-11-26 13:03:26
我们暂且不去管“0K的时候,半导体的费米能级是应该定义在价带顶还是定义为带隙的中心”这个问题,就MS来说,它给出的能带或DOS图中,能量的0点都是最高占据态的能量。你的能带图表明,体系有全满的价带和全空的导带,之间有明显的带隙分隔,所以体系是半导体 这是没有问题的。
10楼2011-11-24 22:52:26
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查看全部 12 个回答

杨寻

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-11-20 18:01:45
yaoo_1(金币+3): 谢谢,我试看看 2011-11-20 19:14:45
把空带数目设置多点
2楼2011-11-20 15:14:14
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改王之王

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
yaoo_1(金币+1): 谢谢交流 2011-11-20 22:04:52
franch(金币+2): 谢谢回帖交流 2011-11-21 18:51:27
上图中有带隙的地方态密度怎么不是零呀?
3楼2011-11-20 20:13:54
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yaoo_1

木虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 改王之王 at 2011-11-20 20:13:54:
上图中有带隙的地方态密度怎么不是零呀?

不太清楚为何,
我是直接用内置的矽改成的2x2x2的超晶胞晶格常数直接用 10.86 angstrom
结构最佳化收敛测试得到ecut = 400 EV k点4x4x4 以上趋于稳定,
不知道是不是交换相干工程系是用LDA的关系,
会造成一些误差?
4楼2011-11-20 22:03:05
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