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chaorenfang新虫 (初入文坛)
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[求助]
电化学制备Zn-Sn-O系统透明导电氧化物薄膜 方块电阻测不出来
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你们好！ 我用的是双显恒电位仪仪器，用恒电流在阴极在ITO膜上沉积ZTO，我用的溶液是0.2mol/LZn(NO)3、0.2mol/LSnCl4、0.5mol/LNaNO3,沉积50min,膜蛮均匀，但是XRD打出来的是馒头峰，用四探针测方块电阻测不出来，我试了很多方法，比如加HNO3，都是这样告终。如果沉积时间30min 方块电阻测得出来，而且很小，表面电性能很好，XRD打出来是馒头峰加两个ITO的主峰。而我的理想要求是导电性能好的ZnSnO3或Zn2SnO4，现在感觉不知道是什么原因得不到我想要的结果，也不知道如何往下一步走，希望你们能给我宝贵的意见！ |
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SCE_bar
新虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
chaorenfang(金币+2): ★★★很有帮助 谢谢 2011-12-21 21:35:43
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联系一下使用GAMRY仪器的人，尤其Reference 3000+ Booster系统，测得的电阻最小可达到 n OHM 数量级。 相信您会从他们的报告收益： 请连接 http://www.gamry.com/assets/Appl ... -Ref30k-Booster.pdf |
2楼2011-12-07 09:36:48
chaorenfang
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3楼2012-07-12 14:39:39
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xubomatrix
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