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CVD法制备Graphene中,有关淀积催化金属Cu 的疑问
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wangganglzu
至尊木虫
(职业作家)
应助: 8
(幼儿园)
金币: 29785.5
散金: 821
红花: 8
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在线: 553.3小时
虫号: 1418588
注册: 2011-09-26
性别: GG
专业: 半导体光电子器件
[
求助
]
CVD法制备Graphene中,有关淀积催化金属Cu 的疑问
想问问,在CVD制备Graphene之前,要在SiO2/Si上淀积一层Cu,我想用电子束蒸镀的方法淀积一层铜,就是不太清楚淀积Cu的具体工艺,比如真空度、温度等等……希望做相关实验的虫友能够解答一下
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天道酬勤
1楼
2011-11-14 15:00:06
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guojun1029
银虫
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帖子: 295
在线: 54.1小时
虫号: 1249997
注册: 2011-03-30
专业: 碳素材料与超硬材料
我们是PVD 镀过Cu 我用的DC 50w 15.22 nm/min
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wangganglzu
10楼
2012-03-10 21:05:30
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