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碳化硅材料的缺陷自旋状态 已有1人参与
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碳化硅材料的缺陷自旋状态 Nature 479 (7371) | doi:10.1038/nature10562 发表日期：11年11月3日 金刚石中被称为“氮-空位”(N-V)中心的点缺陷激起人们浓厚兴趣，因为它有一个高度局域化的电子自旋状态，其所具有的量子性质可在室温下很容易被探测到。人们也在比金刚石更容易生长和加工成器件或能够提供不同功能的其他半导体中寻找类似缺陷。在这篇论文中，Koehl等人介绍了碳化硅中一系列新的缺陷自旋状态，它们能够在电信波长范围内以光学手段加以利用，并能在高达室温的温度下被相干控制。他们的自旋相干性可与金刚石N-V中心的自旋相干性相媲美，而且碳化硅还是一种在半导体行业已经存在广泛微制造工艺的材料。因此，这些材料有望用于光子、自旋电子和量子信息等应用。 Letters to Nature p84 http://www.nature.com/nature/jou ... pdf/nature10562.pdf |
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