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ZGmse

木虫 (小有名气)

[求助] 有条件发放金币~关于III-V族纳米线

各位虫友,本人用CVD方法合成III-V纳米线将近一年了,但是一直都没有进展。我试过InSb,方法一是蒸发In粉和Sb粉末(从来没得过InSb纳米线,或者有时得到In2O3纳米线。)方法二是蒸发InSb,用In/Si做基底,可以得到纳米线,但主体仍然是杂质氧化物纳米线(我感觉设备的真空系统还可以,每次都可以抽到3×10-2Torr左右,再用H2做载气,怎么会被氧化呢。第一种方法怎么就不出纳米线呢?)

我还试过GaSb,主要就是蒸发Ga和Sb(有文章就是这么做的)。但是这个更让人崩溃,在1000℃下蒸发Ga,3个多小时后,竟然在Si基底上几乎没有Ga。真是想不出原因啊~~~~

由于这类材料比较贵,但是老板又想做。压力很大很大,所以特向善良的虫友们请教请教,我是否进入了误区,按我的方法根本就制备不出来呢?制备这种纳米线的关键之处是什么呢?希望哪位能够指点一二,在下感激不尽啊!!!!!!

PS:我用的CVD就是那种最原始的单区管式炉+真空泵


[ Last edited by lchpy on 2011-11-3 at 15:21 ]
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517828126

新虫 (小有名气)

我萌新硕士一枚,目前也是做三五族半导体,主要是InSb纳米线,直接用InSb粉末做的,PVD方法,要用金纳米颗粒做催化剂。至于氧化的原因,可能需要清洗衬底,InSb我买过来是块状的,磨成粉之前我也会用酸泡一下。我的炉子真空度很低,用的是还是Ar气体。但是我长出来的都是金针菇
8楼2018-05-02 15:52:22
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zhouweichang

木虫 (正式写手)

yong我用普通的CVD做过GaAs,效果还可以
但未做过GaSb等
2楼2011-11-03 08:54:36
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risktaker111

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-11-03 14:20:39
ZGmse(金币+20): 非常感谢~请问如何有效提高真空度呢?我每次都是先抽到5×10-2torr左右,之后又通载气一段时间,才开始实验的。另外,我在上面说了呀,真的是InSb或者GaSb纳米线。前者是一直主要合成的,但是好久了没有结果,又改成后者试试,但是同样没什么结果。希望进一步交流。O(∩_∩)O~ 2011-11-06 09:37:36
1、真空系统。你说真空系统还可以,但是每次都有氧化物产生,能说明说明问题呢,我认为你的真空度不够,当然了cvd系统的抽真空能力有限,所以这是一点,但是我想不是最重要的因素。
2、添加催化剂。可以添加一些过渡金属催化剂,如Mo、Au、Ni等,催化剂在制备纳米线时经常用,相信楼主看过相关文献了,可以试一试,本人也推荐此方法。
3、不知道楼主做什么纳米线,不是所有的纳米线都可以用该方法合成的。我想楼主不可能所有的纳米线都做吧,呵呵,楼主没有说实话,课题嘛总一个是主要的,你可以把你的课题,就是真正要合成的物质告诉我,我具体问题具体分析,我们可以交流一下。
3楼2011-11-03 10:07:22
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ZGmse

木虫 (小有名气)

希望能够得到大家的帮助!!!!!
4楼2011-11-06 09:38:49
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