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ZGmse

木虫 (小有名气)

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[求助] 有条件发放金币~关于III-V族纳米线

各位虫友，本人用CVD方法合成III-V纳米线将近一年了，但是一直都没有进展。我试过InSb，方法一是蒸发In粉和Sb粉末（从来没得过InSb纳米线，或者有时得到In2O3纳米线。）方法二是蒸发InSb，用In/Si做基底，可以得到纳米线，但主体仍然是杂质氧化物纳米线（我感觉设备的真空系统还可以，每次都可以抽到3×10-2Torr左右，再用H2做载气，怎么会被氧化呢。第一种方法怎么就不出纳米线呢？）

我还试过GaSb，主要就是蒸发Ga和Sb（有文章就是这么做的）。但是这个更让人崩溃，在1000℃下蒸发Ga，3个多小时后，竟然在Si基底上几乎没有Ga。真是想不出原因啊~~~~

由于这类材料比较贵，但是老板又想做。压力很大很大，所以特向善良的虫友们请教请教，我是否进入了误区，按我的方法根本就制备不出来呢？制备这种纳米线的关键之处是什么呢？希望哪位能够指点一二，在下感激不尽啊！！！！！！

PS：我用的CVD就是那种最原始的单区管式炉+真空泵

[ Last edited by lchpy on 2011-11-3 at 15:21 ]

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