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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 关于near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy 请教大家
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韩D小希

铁虫 (正式写手)

[求助] 关于near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy 请教大家

在文献中看到用NEXAFS进行表征，得到如下图所示，请大家帮忙解释下这中表征方法，以及文献给出的结果，我实在是想不明白，还请大家赐教。



The addition of NH3 in the graphene growth resulted in sharp peaks at 400.7 and 408 eV in the NEXAFS spectrum, correspondingto1s-to-p* and -s* transitions, respectively, for a single molecular species. The sharpness and strong polarization dependence of the peaks indicates that this species has well-defined, in-plane N-C bonds in the graphene lattice.
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1楼 2011-10-27 21:44:40
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chenyuchen

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

PG和NG表示什么？
实线和虚线分别指不同极化方向吗？实线表示垂直面方向，虚线表示平行面方向？
400eV附近的XAS对应N-K边，因此按偶极跃迁，主要对应于1s-to-p* and -s* 跃迁。按这里的文字，第一个尖峰（400.7eV，NG中实线很强）主要来自p*轨道的贡献，因此如果这个峰强随极化的变化而变化，那么p*轨道态密度分布就一定存在各向异性，这里实线对应的极化方向态密度明显比虚线大很多，因此可以认为存在实线方向的C-N键
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选择科学就要耐得住寂寞！
2楼2011-10-28 14:50:22
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韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by chenyuchen at 2011-10-28 14:50:22:
PG和NG表示什么？
实线和虚线分别指不同极化方向吗？实线表示垂直面方向，虚线表示平行面方向？
400eV附近的XAS对应N-K边，因此按偶极跃迁，主要对应于1s-to-p* and -s* 跃迁。按这里的文字，第一个尖峰（400.7 ...

您好，先谢谢您，
PG ，NG 分别指 pure graphene 和N掺杂的石墨烯；
这幅图我真是没怎么理解，先给出文献中给的注释：
NEXAFS (total electron yield) of pristine and N-doped graphene on copper foil at the N K-edge. N-doping results in a new peak in the spectrum at 400.7 eV due to graphitic N. XAS, x-ray absorption spectroscopy. (Inset) XPS data for pristine and NG10 graphene, showing a higher–binding energy component (black arrow) for the doped sample。
1.您说的400eV对应XAS的‘N-K边’是指N的吸收边么？
2.偶极跃迁是指什么呢 我查了下 没有收获 1s-to-p* and -s* 跃迁是电子的什么跃迁呢
不好意思 新人一枚 还望您指教
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3楼2011-10-28 20:13:25
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chenyuchen

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-10-31 09:12:25
看来你对这个NEXAFS技术是完全不懂了！我也没办法把所有理论解释都贴到这里，所以这里列出几个wiki词条，你自己看吧。
XAS:
http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_absorption_spectroscopy
XANES (also known as NEXAFS)
http://en.wikipedia.org/wiki/NEXAFS
偶极跃迁是量子力学里面的基本概念，通俗讲就是能级跃迁轨道量子数差+/-1的态之间跃迁，你可以查书，或者在wikipedia上查
dipole和selection rule。
N-K边就是指氮的K吸收边。1s to p*就是指电子从内壳层的1s占据轨道向p*的未占据态跃迁。
如果你自己不做XAS方面的研究，你只需要知道这种技术是用来研究材料的费米能级上的非占据态，由此能够给出诸如化学成分，价态，成键等信息就行了。
参考这个帖子：
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3606317&pid=3212144&page=1#pid3212144

如果你想做这方面的研究，那你就需要自己查阅相关文献和书籍，认真学习了。
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选择科学就要耐得住寂寞！
4楼2011-10-30 17:27:46
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韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by chenyuchen at 2011-10-30 17:27:46:
看来你对这个NEXAFS技术是完全不懂了！我也没办法把所有理论解释都贴到这里，所以这里列出几个wiki词条，你自己看吧。
XAS:
http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_absorption_spectroscopy
XANES (a ...

真的十分谢谢您，我不做这方面研究，看文献的时候关于这方面很迷糊，谢谢您的细致的回答。
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5楼2011-10-31 09:14:13
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zhangbin07

荣誉版主 (知名作家)

新虫 (初入文坛)

优秀版主优秀版主
大图是XAS 应该在同步辐射上做的，横轴是 光子能量。
生长环境不一样，导致额外的峰。
插图是XPS，横轴是 结合能。
所对应的峰 你可以从手册中找到。
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If you can't take a few risks now so early in your career you probably never will.
6楼2011-11-02 05:19:57
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韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by zhangbin07 at 2011-11-02 05:19:57:
大图是XAS 应该在同步辐射上做的，横轴是 光子能量。
生长环境不一样，导致额外的峰。
插图是XPS，横轴是 结合能。
所对应的峰 你可以从手册中找到。

谢谢您
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7楼2011-11-02 08:07:30
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