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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 制备bst薄膜的Si基底
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jojolyl

新虫 (初入文坛)

[交流] 制备bst薄膜的Si基底已有5人参与

请问制备bst薄膜的Si基底有什么参数要求吗？例如：厚度要求，P型还是N型，趋向<100>,<111>等……急求……
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1楼2011-10-27 12:55:04
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竹林风bamboo

新虫 (小有名气)
★ ★
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nofrunolif(金币+1): 鼓励交流 2011-12-18 17:23:29
Si衬底的取向会在一定程度上影响薄膜的取向，而且LNO/Si 这样的衬底不错，可以解决电极问题，LNO还可能诱导织构
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天道酬勤
4楼2011-12-17 22:02:20
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hlwang10s

金虫 (小有名气)
★ ★
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zhaohaixing(金币+1): 谢谢参与~ 2011-10-27 21:03:22
Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)
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上善若水，厚德载物
2楼2011-10-27 18:25:55
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guody

铁杆木虫 (正式写手)
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zhaohaixing(金币+1): 谢谢参与~ 2011-10-27 21:03:37
主要看你自己实验要求了，
p型和n型主要是对测试电学性能有影响，但如果是楼上所说的这种衬底，就无所谓p型还是n型了；如果是直接将膜沉积在Si衬底上，比如做成FET，然后测试性能，就必须选择好p型或者n型了。
至于取向，都可以使用，取决于你自己的选择，取向不同应该对膜的取向有一定影响，你可以研究一下，呵呵。
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求木之长者，必固其根本；欲流之远者，必浚其泉源；思国之安者，必积其德义。
3楼2011-10-27 20:32:13
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wxjabc

金虫 (小有名气)
★
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我买的是P型的，pt200nm/Ti50nm/SiO2200nm/Si（P）
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5楼2011-12-18 09:30:54
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