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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)

[求助] 这两种方法制备的石墨烯，为什么一种方法石墨烯会生长在Ni顶，而另一种方法生长在Ni和

这两种方法制备石墨烯，为什么第一种方法石墨烯生长在Ni顶，而不同时生在Ni和SiO2的交界处……而第二种方法的石墨烯即会生长在Ni顶也会生在Ni和SiO2的交界处
哪位能给解释一下吗
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天道酬勤
1楼 2011-10-04 20:20:25
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
4楼: Originally posted by lchpy at 2011-10-04 20:52:08:
具体的实验条件不一样,通气体的速度啊,冷却速率啊之类的...

而且多数人用第一种方法的时候 根本就没去看Ni的下表面有没有graphene
[ Last edited by lchpy on 2011-10-4 at 21:53 ]

第一种方法，如果离子注入把碳注入的深些，剂量大点，尽量使Ni的碳饱和面靠近Ni/SiO2的交界处，那么石墨烯会不会生长在Ni/SiO2的交界处呢
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天道酬勤
7楼2011-10-05 16:27:05
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lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

wangganglzu(金币+1): 2011-10-05 16:20:39
其实用polymer的时候 Ni的上下都会长graphene的~ 只是他选择了用下面这层. 具体的可以看他们组发的nature
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2楼2011-10-04 20:33:52
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
2楼: Originally posted by lchpy at 2011-10-04 20:33:52:
其实用polymer的时候 Ni的上下都会长graphene的~ 只是他选择了用下面这层. 具体的可以看他们组发的nature

你说的这个我了解，那么第一种方法--离子注入，为什么只在Ni上表面生长呢，Ni和SiO2交界面没有石墨烯生成
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天道酬勤
3楼2011-10-04 20:37:38
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lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主
引用回帖:
3楼: Originally posted by wangganglzu at 2011-10-04 21:37:38:
你说的这个我了解，那么第一种方法--离子注入，为什么只在Ni上表面生长呢，Ni和SiO2交界面没有石墨烯生成

具体的实验条件不一样,通气体的速度啊,冷却速率啊之类的...

而且多数人用第一种方法的时候 根本就没去看Ni的下表面有没有graphene

[ Last edited by lchpy on 2011-10-4 at 21:53 ]
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4楼2011-10-04 20:52:08
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