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这两种方法制备的石墨烯,为什么一种方法石墨烯会生长在Ni顶,而另一种方法生长在Ni和
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wangganglzu
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这两种方法制备的石墨烯,为什么一种方法石墨烯会生长在Ni顶,而另一种方法生长在Ni和
这两种方法制备石墨烯,为什么第一种方法石墨烯生长在Ni顶,而不同时生在Ni和SiO2的交界处……而第二种方法的石墨烯即会生长在Ni顶也会生在Ni和SiO2的交界处
哪位能给解释一下吗
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2011-10-04 20:20:25
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Originally posted by
lchpy
at 2011-10-04 20:33:52:
其实用polymer的时候 Ni的上下都会长graphene的~ 只是他选择了用下面这层. 具体的可以看他们组发的nature
你说的这个我了解,那么第一种方法--离子注入,为什么只在Ni上表面生长呢,Ni和SiO2交界面没有石墨烯生成
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3楼
2011-10-04 20:37:38
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【答案】应助回帖
wangganglzu(金币+1): 2011-10-05 16:20:39
其实用polymer的时候 Ni的上下都会长graphene的~ 只是他选择了用下面这层. 具体的可以看他们组发的nature
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2楼
2011-10-04 20:33:52
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3楼
:
Originally posted by
wangganglzu
at 2011-10-04 21:37:38:
你说的这个我了解,那么第一种方法--离子注入,为什么只在Ni上表面生长呢,Ni和SiO2交界面没有石墨烯生成
具体的实验条件不一样,通气体的速度啊,冷却速率啊之类的...
而且多数人用第一种方法的时候 根本就没去看Ni的下表面有没有graphene
[
Last edited by lchpy on 2011-10-4 at 21:53
]
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4楼
2011-10-04 20:52:08
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wangganglzu(金币+1): 2011-10-05 16:20:50
第一个是石墨烯单层的沉积在NI片上,第二个是加了PMMA在中间的双层的层级,估计是比较层数上的区别。
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含泪播种的人一定能含笑收获!
5楼
2011-10-05 14:11:55
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