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millor9捐助贵宾 (正式写手)
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[求助]
为什么有些材料（如SnS）既是直接带隙（1.3-1.5eV）又是间接带隙呢（1.1-1.3eV）
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| 如题！ |
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2楼2011-09-21 22:05:20
lulinsmann
木虫 (著名写手)
三无小小鸟
- 应助: 90 (初中生)
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- 专业: 光学和光电子材料
【答案】应助回帖
★ ★
zhaohaixing(金币+2): 答案很不错 2011-09-22 09:37:58
millor9(金币+20): 谢谢！很有启示！不过还有个小疑问，众所周知Si是间接带隙材料（也存在第三能隙的直接跃迁），那为什么不说Si既是间接带隙又是直接带隙呢？ 2011-09-22 09:46:47
millor9(金币+8): 再次感谢！ 2011-09-23 09:21:15
zhaohaixing(金币+2): 答案很不错 2011-09-22 09:37:58
millor9(金币+20): 谢谢！很有启示！不过还有个小疑问，众所周知Si是间接带隙材料（也存在第三能隙的直接跃迁），那为什么不说Si既是间接带隙又是直接带隙呢？ 2011-09-22 09:46:47
millor9(金币+8): 再次感谢！ 2011-09-23 09:21:15
| 个人理解：带隙值的定义是导带底与价带顶的能量差，而直接还是间接则看导带底和价带顶的k值是否相同。一个确定的材料应该只有一个导带底和一个价带顶吧，如是，那么根据定义，一个确定的材料不可能既是直接带隙又是间接带隙。从lz提供的带隙值来看，SnS应该是间接带隙。但是一个材料的能带图中，除了最低的那个导带底，还有其他的“第二、第三……导带底”（从能带图上看，也是一条曲线的最低值，但该曲线不是最低的导带线，不知道说明白了没有）。从lz叙述来看，这个直接跃迁应该发生在“第二导带底”。就我所知，Si毫无疑问是间接带隙，最小能隙是1.12eV，其第二能隙也是间接跃迁，但第三能隙是直接跃迁。 |
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