| 查看: 2226 | 回复: 4 | |||
millor9捐助贵宾 (正式写手)
|
[求助]
为什么有些材料（如SnS）既是直接带隙（1.3-1.5eV）又是间接带隙呢（1.1-1.3eV）
|
| 如题！ |
回复此楼» 猜你喜欢
国合现在查不到了吗？
已经有16人回复
-
牛来！米来！面来！
已经有8人回复
-
2026年8月25日国自然放榜前突然收到列入评审专家邮件，有关系吗？
已经有27人回复
-
范进中举一文的中心思想
已经有9人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有24人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
今天务委会开完了，明天出结果吗
已经有22人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 间接带隙半导体吸收光谱特点
已经有4人回复
- 关于OLED方面隙带的测试疑问
已经有22人回复
- 【求助】制作的纳米纤维测得的带隙比块体材料小是为什么
已经有5人回复
- 【求助】castep为啥做超胞后从间接带隙变直接带隙？
已经有16人回复
- 【求助】请教直接带隙材料和间接带隙材料的区别？
已经有4人回复
- 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接
已经有12人回复
- 【求助】紫外光谱求薄膜带隙及厚度
已经有9人回复
2楼2011-09-21 22:05:20
lulinsmann
木虫 (著名写手)
三无小小鸟
- 应助: 90 (初中生)
- 金币: 10459.2
- 散金: 125
- 红花: 7
- 帖子: 2465
- 在线: 693.4小时
- 虫号: 386161
- 注册: 2007-05-29
- 性别: GG
- 专业: 光学和光电子材料
【答案】应助回帖
★ ★
zhaohaixing(金币+2): 答案很不错 2011-09-22 09:37:58
millor9(金币+20): 谢谢！很有启示！不过还有个小疑问，众所周知Si是间接带隙材料（也存在第三能隙的直接跃迁），那为什么不说Si既是间接带隙又是直接带隙呢？ 2011-09-22 09:46:47
millor9(金币+8): 再次感谢！ 2011-09-23 09:21:15
zhaohaixing(金币+2): 答案很不错 2011-09-22 09:37:58
millor9(金币+20): 谢谢！很有启示！不过还有个小疑问，众所周知Si是间接带隙材料（也存在第三能隙的直接跃迁），那为什么不说Si既是间接带隙又是直接带隙呢？ 2011-09-22 09:46:47
millor9(金币+8): 再次感谢！ 2011-09-23 09:21:15
| 个人理解：带隙值的定义是导带底与价带顶的能量差，而直接还是间接则看导带底和价带顶的k值是否相同。一个确定的材料应该只有一个导带底和一个价带顶吧，如是，那么根据定义，一个确定的材料不可能既是直接带隙又是间接带隙。从lz提供的带隙值来看，SnS应该是间接带隙。但是一个材料的能带图中，除了最低的那个导带底，还有其他的“第二、第三……导带底”（从能带图上看，也是一条曲线的最低值，但该曲线不是最低的导带线，不知道说明白了没有）。从lz叙述来看，这个直接跃迁应该发生在“第二导带底”。就我所知，Si毫无疑问是间接带隙，最小能隙是1.12eV，其第二能隙也是间接跃迁，但第三能隙是直接跃迁。 |
3楼2011-09-21 22:45:17
4楼2011-09-22 23:01:07
5楼2011-09-23 11:03:57
28