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可可西里

木虫之王 (文学泰斗)

甾体者说

[交流] [求助]光催化中缺陷问题

为什么说缺陷是电子和空穴的复合中心呢????????

这个问题有点不明白

看文献的时候都这么说

但是原因不知道

望光催化高手指点

由于时间有限

自己也不能去查资料



[ Last edited by rabbit7708 on 2007-10-22 at 22:16 ]
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solarlee1981

★ ★ ★ ★ ★
rabbit7708(金币+5,VIP+0):鼓励新虫参与讨论,学习了!呵,欢迎常来催化版喽!:)
现在对缺陷在光催化领域中的影响其认识恐怕是不深入的

主流的观点说缺陷是电子与空穴的复合中心,这个如上所述是从荧光光谱得来的理论。但缺陷真的是光催化性能的克星吗?恐怕也不是这样。

目前发现的不少材料如InTaO4,理论上是不可能存在可见光活性的。但他的多晶粉末在440nm左右还有很小的吸收,正是这一点吸收产生了一丝微弱的可见光活性。通过掺杂、固溶等等手段,还可以提高其可见光活性。在这一问题的认识上,就有一种观点,认为:完美无缺陷的InTaO4带隙高达4.4eV,是不可能存在可见光活性的。之所以有,正是表面缺陷造成的可见光吸收。

但是,这一点点吸收是如何激发出电子的呢?电子如何跨越如此高的能垒,实现电子-空穴的分离,而不是立即复合了呢?这一点有必要进行深入的研究。
9楼2007-10-21 18:56:21
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huxing80

木虫 (正式写手)

hi


rabbit7708(金币+1):谢谢应助!:)
主要是基于荧光结果.一般缺陷位多,可见荧光强度大.而该荧光被归属为导到缺陷位的电子和价带空穴复合的过程.但是该认识还需要进一步讨论和研究.
2楼2006-11-15 11:51:19
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可可西里

木虫之王 (文学泰斗)

甾体者说

还是有点不明白

为什么电子和空穴容易在缺陷位复合呢??????????????
求助文献下载后,及时评分和EPI。
4楼2006-11-15 22:44:44
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starfry

木虫 (小有名气)


rabbit7708(金币+1):谢谢应助!:)
我猜是因为缺陷位置处(surface/kink/edge/adatom position)
比非缺陷处(bulk crystal) 因为有未键结键的关系,电子密度
较bulk 高(电子) or 低(电洞) 而成为active site
ex 在氧缺陷处是缺电子的,光激发的电子-电洞在这边就容易
被牺牲掉无法用在催化反应上
5楼2006-11-16 12:34:38
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