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okwl木虫 (小有名气)
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关于XPS分析方面的翻译修改下英文语法-编辑说语法错误
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原文：位于283.65 eV的较低能量的峰是典型的由于Si产生的化学位移，所以应该为C–Si键。强度最低的峰的结合能为285.66 eV应该是O或者N的-I效应引起的位移，所以推断应该是C–O 或 C–N键。 The peak with lower energy at 283.65 eV is typical for the chemical shift caused by Si Inductive Effects , corresponds to C–Si. The -I effects of O or N lead to the lowest intensity peaks at binding energies of 285.66 eV that can be assigned to C–O or C–N. |
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hongliannu
木虫 (小有名气)
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【答案】应助回帖
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8814402(金币+1): 感谢应助 2011-08-18 19:07:04
sltmac(金币+1): 欢迎常来 2011-08-19 08:32:02
okwl(金币+15): 谢谢应助！ 2011-08-19 11:30:23
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okwl(金币+15): 谢谢应助！ 2011-08-19 11:30:23
| The peak of 283.65 eV in lower energy are is a typical chemical shift caused by Si Inductive Effects , ascribed to C–Si bond. The peaks with lowest binding energy at 285.66 can be the shift lead by -I effect of O or N, which can be asceibed to C–O or C–N. |
4楼2011-08-18 11:42:26