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dcm20102

金虫 (小有名气)

[求助] 恒电流沉积(计时电位法)的参数设置

我要在Cu2SO4溶液中电沉积Cu2O, 恒电位沉积电位为-0.45V vs SCE,用的是CHI760D工作站,不知道如何设置参数,如下设置有没有问题?能否给个建议,越详细越好~~另外我因为要控制沉积的厚度,能否通过沉积时间控制沉积电量呢?

阴极电流:0.00018A
阳极电流:0
高电位限制: 1
High E hold time: 0
低电位限制:-1
Low E hold time: 0
阴极时间(秒):11700
阳极时间(秒):0
起始极性: 阴极
数据存贮间隔: 0.1
段数:1
电流极性切换优先:时间
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胡琪

铁杆木虫 (著名写手)

Cathodic current:0.00018
Anodic current: -0.00018
High E limit: 1
Low E limit: -1
Cathdic Time: 0
Anodic Time: 0
Initial Polarity: Cathodic/Anodic 均可,只决定第一个循环是充电还是放电
Data Storage Intvl: 最小可以设到0.002,为采样点的时间间隔,如设置为0.02,即0.02s记录一个电压数据
Number of Segments: 2,充电是一个segment,放电又是一个segment,一个完整的充放电是2个segment,不知道你想做多少个周期。下面Current Swithing和Auxiliary就按照默认的,希望能帮到你!
天地任我行
11楼2013-08-21 21:49:52
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yanflower7133

木虫 (职业作家)

恒电位沉积电位为-0.45V vs SCE,你是想恒电流沉积还是恒电位沉积啊?
忘了昨天,从今天开始,努力!
2楼2011-08-16 15:49:35
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jttk

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

dcm20102(金币+3): 2011-08-17 13:23:50
沉积单质铜的话是可以用时间来控制电量进而控制沉积厚度的。
3楼2011-08-16 18:54:53
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wenchao58

新虫 (小有名气)

我也在做这方面的工作,求解!!
4楼2011-08-17 11:24:18
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