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表面光电压的问题
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大家好，最近我制备了一个晶体，是由同多酸[H2W12O42]10-作为结点形成的三维结构，测了其表面光电压测试，得到了非常奇怪的结果（见图，进行了三次没测试，都是一样的结果），没有偏压时，光电值最小，而有正负偏压时，光电值都会变大。表面光电压曲线结果与一般的 n 或 p 型半导体的表面光电压曲线不一样。由于对这方面不是太懂，所以想请大家帮忙看一下，如何才能解释这种现象呢？我初步根据紫外光谱得出其禁带宽度为3.4ev左右。 [ Last edited by keyucui on 2011-8-12 at 10:39 ] |
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