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[求助]
表面光电压的问题
大家好,最近我制备了一个晶体,是由同多酸[H2W12O42]10-作为结点形成的三维结构,测了其表面光电压测试,得到了非常奇怪的结果(见图,进行了三次没测试,都是一样的结果),没有偏压时,光电值最小,而有正负偏压时,光电值都会变大。表面光电压曲线结果与一般的 n 或 p 型半导体的表面光电压曲线不一样。由于对这方面不是太懂,所以想请大家帮忙看一下,如何才能解释这种现象呢?我初步根据紫外光谱得出其禁带宽度为3.4ev左右。
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[ Last edited by keyucui on 2011-8-12 at 10:39 ] |
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