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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 求助关于SiC和SiO2光致发光的问题
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pao2009pao

木虫 (初入文坛)

[求助] 求助关于SiC和SiO2光致发光的问题

请教各位虫友，SiC和SiO2的光致发光峰分别在什么位置？是什么因素造成的？
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1楼 2011-07-21 00:27:16
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lhl8233
★ ★
wandaohzl(金币-2): 禁止纯表情 2011-07-23 22:01:59
2楼2011-07-21 02:00:15
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pao2009pao

木虫 (初入文坛)
为什么没有人回我
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3楼2011-07-21 20:57:21
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D-YOUNG

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

pao2009pao(金币+5): 2011-07-23 22:07:42
SiC的光致发光峰在470nm和408nm处。
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4楼2011-07-23 15:53:17
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pao2009pao

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
Originally posted by D-YOUNG at 2011-07-23 15:53:17:
SiC的光致发光峰在470nm和408nm处。

激发波长一般选多大呢？我看文献中有260，270，325，385nm，不知有什么区别？
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5楼2011-07-23 16:17:16
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alienpig

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

pao2009pao(金币+5): 2011-07-26 08:25:26
pao2009pao(金币+10): 2011-08-01 08:42:50
激发波长对应的能量超过禁带宽度就可以了吧
你说的那几个波长只是激光源材质不同导致的。
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6楼2011-07-25 16:39:11
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huxilun

木虫 (正式写手)
SiC有两种主要结构，一种立方晶形的β-SiC，另一种是具有百余种多型体的α-SiC，每一种晶形的禁带宽度都不一样，对应的发光位置也不同，你需要知道你研究的是哪种晶形的，一般工业上主要是α-SiC，另外，材料内部含有的杂质或缺陷也会引起本征发光之外的缺陷发光位置。
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7楼2012-03-13 13:26:32
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huxilun

木虫 (正式写手)
SiO2的禁带宽度为8.9eV，是绝缘体，对应的发光位置应该在140nm左右，这是本征发光。缺陷发光我就不清楚了。希望对你有帮助
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8楼2012-03-13 13:31:14
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