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pao2009pao

木虫 (初入文坛)

[求助] 求助关于SiC和SiO2光致发光的问题

请教各位虫友,SiC和SiO2的光致发光峰分别在什么位置?是什么因素造成的?
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huxilun

木虫 (正式写手)

SiC有两种主要结构,一种立方晶形的β-SiC,另一种是具有百余种多型体的α-SiC,每一种晶形的禁带宽度都不一样,对应的发光位置也不同,你需要知道你研究的是哪种晶形的,一般工业上主要是α-SiC,另外,材料内部含有的杂质或缺陷也会引起本征发光之外的缺陷发光位置。
7楼2012-03-13 13:26:32
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huxilun

木虫 (正式写手)

SiO2的禁带宽度为8.9eV,是绝缘体,对应的发光位置应该在140nm左右,这是本征发光。缺陷发光我就不清楚了。希望对你有帮助
8楼2012-03-13 13:31:14
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