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晶体中zone T 是什么意思
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| 在薄膜断面结构描述中经常看到zone T这个词，请问谁什么意思，形成T型区的标志和T型区的特征是什么？ |
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白兆山
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
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zhaohaixing(金币+2): 很不错的答案 2011-07-15 07:52:41
科学小葱(金币+5): 谢谢 2011-07-19 21:26:26
zhaohaixing(金币+2): 很不错的答案 2011-07-15 07:52:41
科学小葱(金币+5): 谢谢 2011-07-19 21:26:26
| B.A.Movchan和A.V. Demchishin最早提出来薄膜形貌可以分为三个区1、2、3。三个区的分界线是“基片温度(K)与薄膜材料的熔点(K)”的比值。那么0到0.3是1区，这个区的“晶粒”生长得非常不好，0.3到0.5是2区，这个区的“晶粒”生长得好，并且晶粒与晶粒紧密结合，0.5到1就是3区，这个区的晶粒尺寸太大，几乎与薄膜的厚度相同。以这三个区定义的薄膜生长模式就叫做MD模式，它用来描绘蒸发薄膜在电镜下的“晶粒”的形状。到了1970年前后，J.A. Thornton在这个MD模式的基础上，以“基片温度(K)与薄膜材料的熔点(K)”的比值为横坐标，以溅射气压为纵坐标，针对磁控溅射薄膜，在1区和2区之间增加了一个过渡区，也就是在0.1到0.3之间用T区来形容通常溅射条件下出现的薄膜形貌。对高熔点材料来讲，肯定是要避免出现1区形貌的薄膜，但是一般的工艺参数无法让溅射形成的薄膜出现2区，因此，如果薄膜的形貌属于T区，那么至少可以说明薄膜的溅射工艺参数是正确的。 |
2楼2011-07-10 20:52:13
3楼2011-07-19 21:27:03
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