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xunzhai

金虫 (正式写手)


[交流] 二氧化钛光催化的激发光源

二氧化钛光催化的激发光源,是否低于400nm的光都可以?比如X射线呢?
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xhtangxh

木虫 (著名写手)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
xunzhai(金币+5): 谢谢! 2011-07-05 19:04:18
深究起来这个问题有点深奥。一般来说,半导体材料的光催化作用被认为是跟光生电子和空穴量子效率有关。地球人发明了量子力学又发明了量子化学,认为分子的电子轨道能级有成键与反键之分。对于半导体,成键能级轨道组成所谓的价带,反键能级则组成所谓的导带,价带与导带是不会重叠的。价带顶部(能量最高的成键能级,HOMO)与导带底部(能量最低的反键能级,LUMO)之间的能差称为带隙能。基态半导体的成键能级是充满的,而反键能级是全空的。当一个能量高于带隙能的光子被基态半导体俘获后,一个价带上某能级的电子受激跃迁入导带上某能级(当然要符合电子跃迁选律啦),由此也就产生了一个自由电子和一个空穴。当然这种解释还是比较肤浅的。半导体还有直接迁移型半导体和间接迁移型半导体之分。对于间接迁移型半导体,价带顶(HOMO)的电子获得足够的能量之后,还需要有其它粒子(如声子)的帮助才能跃迁到导带底(LUMO),直接迁移型半导体则不需要。
二氧化钛有锐钛矿、金红石和板钛矿三种晶型,电子能态结构不同,带隙能略有差异。锐钛矿是间接迁移型半导体,带隙能~3.2eV;金红石和板钛矿是直接迁移型半导体,带隙能分别为~3.0eV和~3.4eV。理论上这三种晶型最低的激发波长分别为金红石413nm、锐钛矿387nm、板钛矿365nm。显然,低于400nm的光对金红石而言一般是可以作为激发光源的,但对锐钛矿和板钛矿则未必。当然,带隙能的计算误差在±0.1eV,而且细究起来纳米材料与宏观块体(bulk)材料的能带结构也是略有差异的,可以从纳米材料的UV吸收峰发生位移看出来。

2楼的回答莫名其妙。地球人没有说过能量不是量子化的,但也不是就是说能量是不连续的--否则还有全色光谱(或白光)吗,再有:你从哪里学到的“只有能量一致才能被吸收”?是高于最低能级差的能量才能被吸收吧?不要一知半解信口开河。
4楼2011-07-05 11:59:45
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userhung

禁虫 (文学泰斗)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
好像是光电效应原理,X射线应该也可以的哦,做一下实验不就知道了,祝福好运~~~
3楼2011-07-05 11:57:07
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普通回帖

yuncld

木虫 (正式写手)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
xunzhai(金币+1): 2011-07-05 10:29:32
能量是量子化的,也就是说不连续的,所以只有能量一致才能被吸收,实际情况是能量接近的也有吸收。
2楼2011-07-05 08:45:30
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xhtangxh

木虫 (著名写手)


X射线的波长范围在<100nm至~1pm之间,足够做所有半导体材料的激发光源了(半导体带隙能很少大于10eV的)。
5楼2011-07-05 12:31:50
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大爷在奔三

银虫 (小有名气)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
楼主问的这个问题:二氧化钛光催化的激发光源,是否低于400nm的光都可以?比如X射线呢?
6楼2011-07-05 19:25:35
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大爷在奔三

银虫 (小有名气)


xunzhai(金币+1): 2011-07-05 20:09:59
楼主问的这个问题:二氧化钛光催化的激发光源,是否低于400nm的光都可以?比如X射线呢?     只要低于400nm的光源都可以!!!不过 确切的低于400还是398  这个,可能你得做一个 UV-vis 之类的 ,加上本身的实验 才能确知!
7楼2011-07-05 19:34:56
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大爷在奔三

银虫 (小有名气)


xunzhai(金币+1): 2011-07-05 20:09:14
还有,在合成二氧化钛的过程中,原料纯度,仪器往往有相关杂质引入,所以你合成的“纯二氧化钛”往往不纯。 但是,一丁点的杂质可能都会改变二氧化钛的光响应范围,所以,一般不用太纠结具体是多少纳米的光源,一般你说387nm就可以~ 如果你本身做实验的话,你也要记下是多少纳米的光源(中心波长),写文章的时候注明就好了。
8楼2011-07-05 19:39:53
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asule13

金虫 (正式写手)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
xunzhai(金币+1): 2011-07-05 20:08:28
楼主的这个问题我也纠结过。后来想通了,不知道对不对,讨论一下3楼解释的很好,对锐钛矿,只有波长小于388纳米的光才能被吸收发生氧化还原反应,但对于X射线,波长这么短的电磁波来说,其能量很高,X射线照射到原子或离子里面可以产生投射X射线,弹性散射,非弹性散射,可以产生X光电子,反冲电子,及含俄歇电子等的二次电子,荧光,由此而产生了XAFS,XRD,XPS,俄歇电子能谱,EDAX等检测手段。话说到这里,楼主也该知道,X射线被半导体吸收后,产生的电子能量足够大,会被激发出来,留下空穴。
所以一旦空穴被底物捕获,非要说这样可以实现光催化也不是不可,但用X射线激发,太奢侈了吧
9楼2011-07-05 19:54:04
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xhtangxh

木虫 (著名写手)


xunzhai(金币+2): 谢谢!学术讨论嘛,各抒己见。 2011-07-06 11:13:22
站在6、7、8楼嚷嚷的虫虫:你该不是在骗楼主的币币吧?不懂没关系,先好好看看书再发言。连对象都没指定,就言之凿凿说“只要低于400nm的光源都可以!!!” 凭什么?380~400nm的光能激发锐钛矿和板钛矿?还“合成二氧化钛的过程中,原料纯度,仪器往往有相关杂质引入”,这只能说明你个人的实验技能和素养有点XX。只要想合成,以现在的实验条件制备“纯二氧化钛”木有困难--如果照你说的,所有做合成的童鞋他们只能天天捎带着搞搞提纯作为副业了。要是连这点鸡毛蒜皮都搞不掂,没有纯物质对照,你用不纯样品冒充纯样做出来的实验结果可信度就太令人质疑了。

关于用X射线激发,其实是不妥的。虽然X射线光子能量很高,即使是软X射线,也数倍或百倍于半导体的带隙能,电子激发后会迅速退激产生能量转移,如9楼虫虫列举的种种现象,因此大部分能量转变成晶格振动能、热能及长波辐射损失掉了,而且X射线的穿透能力有限。
10楼2011-07-06 11:04:38
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noshadow

铁杆木虫 (正式写手)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
X射线能量太高,可能直接会破坏有机物,此外会激发内层电子,问题会搞得比较复杂。
11楼2011-07-13 00:07:54
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liushanhu

铁杆木虫 (著名写手)



xunzhai(金币+1):谢谢参与
X射线能量太高,楼主想试试也可以,结果就不好说了
12楼2011-08-02 11:38:21
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antony19871

木虫 (著名写手)


参照光电池, 能量太高由于晶格热化现象也会出现问题的。
13楼2013-04-10 10:03:10
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