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化学气相沉积制备CdS纳米线难点求助
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最近用CVD法在导电玻璃上制备CdS纳米线，参考了一篇JPCC的文献： 1.CdTe Nanorod Arrays on ITO: From Microstructure to Photoelectrical Property，J. Phys. Chem. C 2009, 113, 16951–16953 当时感觉该方法生长CdTe纳米棒不用催化剂和载气（氩气），优点比较明显，所以我选择了跟这个文献很多相近的参数，只是原料有所不同，我用的是CdS，理论上应该一样能长出，现在遇到的问题是： 1.长出来的CdS纳米线只有200nm-500nm。 2.现在我把650-750度范围的温度基本都做了，感觉700度左右都能长出线，但重复性挺差。 3.原文中居然没有告诉具体瓷舟内的加药量是多少，这个很迷惑，我在试验过程中发现加药量的多少明显影响产物的形貌，加的多了就成薄膜状了。 4.原文中的抽真空负压也不明确，我们的设备抽的负压在-0.1Mpa，只能抽一个固定的负压值，无法调节，老板不同意升级设备了。 5.发现另外一篇CVD法制备ZnO纳米线的文章用了载气，在附近 请教：这种情况我从哪里入手能把CdS纳米线/棒可控长长呢？长长，可控是两个难点，请教各位对我的实验有没有好的建议，谢谢啦 参考文献在附件中，请收阅：）[ Last edited by oxfordidea on 2011-6-17 at 18:17 ] |
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coraldevil
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2楼2011-06-18 21:57:48
