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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 纳米二氧化硅粒子高温煅烧的意义？
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sheldon102

金虫 (著名写手)

[求助] 纳米二氧化硅粒子高温煅烧的意义？

stober法制备的纳米二氧化硅，煅烧与否的区别？50度真空干燥是不是就可以了？如果煅烧的话，目的是什么呢?一般来说煅烧的温度是多少呢？
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1楼2011-06-12 23:00:23
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864068597

铜虫 (初入文坛)
800℃对载体SiO2预处理的话会破坏其孔道结构吗？
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走自己的路，让别人说去吧！
13楼2015-11-21 17:09:08
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dut_ameng

专家顾问 (知名作家)

一只小小小小鸟

【答案】应助回帖

sheldon102(金币+2): 没有用到表面活性剂，50度真空干燥只是想除去洗涤时引入的水，只是不知道这个条件是否可以除去，煅烧后XRD未见明显区别。 2011-06-13 09:17:07
如果用表面活性剂辅助的话，煅烧是除掉有机物。
另一方面，煅烧也有利于晶粒长大，提高结晶度。
一般450~500℃就行了~
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天性驽钝，唯勤学以补之。。。
2楼2011-06-12 23:41:06
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refnew

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

sheldon102(金币+2): 50度真空干燥会使粒子聚集吗？如果像上面说的，500度呢？ 2011-06-13 09:18:03
这种干燥只能使粒子聚集，
高温煅烧可以出去未反应完全的物质
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3楼2011-06-13 08:25:05
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更木

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

煅烧的目的一般就是除去二氧化硅内部的有机物，有时用有机溶剂萃取也可以！
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4楼2011-06-13 18:10:53
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