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zhuzhen2003

银虫 (初入文坛)

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专业: 半导体材料

[交流] 氧空位和晶格常数的关系

做氧化锡薄膜，遇到一个问题，请教一下。
一般都会存在氧空位，那氧空位多了，晶格常数会怎么变？为什么

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1楼 2011-06-10 15:46:01

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839967781

木虫 (职业作家)

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zhuzhen2003(金币+1):谢谢参与

美国Steven ZHou纳米压印第一人

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2楼2011-11-15 12:30:00

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Guoching

金虫 (小有名气)

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★
zhuzhen2003(金币+1):谢谢参与

新手，不太懂，来学习的~~~

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3楼2011-11-24 15:47:12

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wormma

木虫 (正式写手)

One for All, All for One

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zhuzhen2003(金币+1):谢谢参与

如果空位的存在和分布没有引起相变的话，晶格一般会变小。

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OneforAll,AllforOne

4楼2011-11-30 01:31:12

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feiepeng

金虫 (小有名气)

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引用回帖:

4楼: Originally posted by wormma at 2011-11-30 01:31:12:
如果空位的存在和分布没有引起相变的话，晶格一般会变小。

正解，一般就是这样的，实际情况可能更复杂，要涉及到具体结构，最好又搞这方面理论计算的人计算看看情况比较好

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roc

5楼2011-12-03 13:27:42

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