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如何用疏水基团掩盖介孔硅外表面的羟基，而不影响孔内的羟基呢？
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| 我打算用表面活性剂P123、TMOS制备介孔，用来固定化酶，为了防止材料外表面的硅羟基对酶造成非位点特异性吸附，需要将其用疏水基团掩盖掉，但是孔内的羟基想保留，不知道用什么方法可以达到这个目的~请高人指点~~~~ |
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