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Wonderland铜虫 (正式写手)
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做半导体的进
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我不懂半导体，有这么几个问题，发邮件问作者，不回信： 原文在 APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 131107 2011 1. 为什么用Si-InP做衬底，为什么不用硅，Si-InP是什么意思？是Si掺杂InP吗？ 2. 为什么上面用InGaAs下面却用InGaAsP， 为什么不用一样的？ 3. 文中说用InP对光形成限制，但为什么要上下各用两层 InP而不是上下各一层？ 4. 图中的 "lambda=1.55um" 和 "lambda=920nm"是什么意思？那两层 InGaAsP有什么不同? 求各位大牛指教  |
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danu001
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