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Wonderland

铜虫 (正式写手)

[求助] 做半导体的进

我不懂半导体，有这么几个问题，发邮件问作者，不回信：
原文在
APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 131107 2011
1. 为什么用Si-InP做衬底，为什么不用硅，Si-InP是什么意思？是Si掺杂InP吗？
2. 为什么上面用InGaAs下面却用InGaAsP， 为什么不用一样的？
3. 文中说用InP对光形成限制，但为什么要上下各用两层 InP而不是上下各一层？
4.  图中的 "lambda=1.55um" 和 "lambda=920nm"是什么意思？那两层 InGaAsP有什么不同?

求各位大牛指教
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1楼 2011-06-08 16:39:05
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refinder

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

Wonderland(金币+2): 谢谢 2011-07-15 14:56:32
Wonderland(金币+1): 2011-09-07 16:15:40
Wonderland(金币+1): 2011-09-08 08:17:53
回答你第一个问题，SI=semi-insulator，是半绝缘的意思。
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2楼2011-06-09 16:34:41
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306836621

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

Wonderland(金币+1): 2011-09-07 16:16:20
这个地方找半导体还真难
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碧血晴空
3楼2011-08-14 22:10:10
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danu001

木虫 (小有名气)
★ ★
mze04532(金币+2): 感谢热心，欢迎常来~ 2011-09-28 09:37:31
2 为了晶格匹配，最重要的是禁带宽度匹配形成异质结，人家已经标明了
3 还是晶格匹配，加上光波长透射系数要求厚度控制
4 lambda是对应的波长
赞一下(1人) 回复此楼
4楼2011-09-27 22:01:02
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xiangruofei

金虫 (正式写手)
楼上回答得都不错，我凑个脸熟
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5楼2011-12-24 22:17:16
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waitingcxj

木虫 (正式写手)
在问作者前最好能好好查资料，你那么多问题实质是你对文章没仔细看，如果换做是你，你也不会回复
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6楼2011-12-25 12:34:17
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