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反斗星

木虫 (小有名气)

书虫

[求助] IV曲线测试pn节的样品要求

我的样品是p型Si表面生长了一层n型的半导体薄膜想测试一下结的IV曲线，问了一下测试的地方他们说要是用对角线法就不用做电极，要是Si和半导体两面接就要电极？我想问一下两种方法的区别，还有怎么做电极？
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只要是书，就能蛀。
1楼 2011-06-08 09:57:18
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反斗星

木虫 (小有名气)

书虫
如果是Si/SiO2/半导体薄膜，这样一个三层结构可以测IV特性吗？我看文献有的曲线横坐标是正负电压，有的只有一个正电压这有什么区别吗？
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只要是书，就能蛀。
3楼2011-06-08 16:07:35
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qianshou

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

我不太清楚对角线法具体是什么,但是异质结的IV应该做电极,根据你的半导体的功函数,选取适当的金属镀膜做电极,保证金属和半导体间是欧姆接触,非肖特基接触,测试的电学性能才是Pn结的性能,否则可能是多个具有整流特性结的性能.
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2楼2011-06-08 15:16:24
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qianshou

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

反斗星(金币+5, 博学EPI+1): 谢谢指教，以后有不明白的还望不吝赐教。呵呵！ 2011-06-08 20:25:44
三层结构当然可以,测试要求一样,一般异质结的IV曲线采用正负偏压区曲线来表示, 只有一个正电压的曲线,其负偏压的测试结果也用正的电压来做曲线,看到的是两条曲线
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4楼2011-06-08 17:11:56
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