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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 无机/物化 » 无机化学 » 关于碳化硅纳米线生长的问题
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Xintongli9865

至尊木虫 (著名写手)

[求助] 关于碳化硅纳米线生长的问题

我在制备碳化硅纳米线时，发现在样品中有的纳米线是比较纯的3C-SiC，有的是含有较多堆垛层错结构，为什么同一样品中出现两种不同结构？？
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Nopains,Nogains!
1楼 2011-05-19 10:25:51
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zxc508

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

Xintongli9865(金币+10): 多谢，那 2011-05-30 10:38:19
这个比较容易理解，也可以参见很多文献，其中有郭向云和王中林组研究的一篇文章。其主要原理就是孪晶或者堆垛现象的存在，是能量最低的表现。这在SiC这种周期原子堆垛形成中，很容易出现。具体请见相关文献。
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2楼2011-05-26 22:54:24
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Xintongli9865

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by zxc508 at 2011-05-26 22:54:24:
这个比较容易理解，也可以参见很多文献，其中有郭向云和王中林组研究的一篇文章。其主要原理就是孪晶或者堆垛现象的存在，是能量最低的表现。这在SiC这种周期原子堆垛形成中，很容易出现。具体请见相关文献。

那么，请问文献名？还有为什么有的就没有缺陷存在，而是单一的3C结构（β-SiC）
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Nopains,Nogains!
3楼2011-05-30 10:40:31
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zxc508

铁杆木虫 (正式写手)
there are a lot of related references on this topic. you can find some information of Hanchen Huang's paper published on journal of applied physics(Twin formation during SiC nanowire synthesis). In addition, you can also find some useful information from a paper of the author who published a paper named ’playing with carbon and silicaon at nanoscale‘.
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4楼2011-05-30 20:47:22
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