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yn6319

金虫 (小有名气)

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[求助] 关于计算禁带宽度

https://g.zhubajie.com/urllink.php?id=111328825gkefb7p4miehu9y
这个光子能量hv是普朗克常数和光的频率的乘积，h=4.13*10^-15eV,v是光的频率，即波长的倒数，波长从300nm到800nm，那么hv怎么得到3点几个eV,是不是hv概念我弄错了？？
可以用（-lnT*hv)^2与hv的关系来拟合曲线，计算禁带宽度么，下面是上传的一个样图，请明白的详细讲解。

并上传了一个数据表，请帮忙看看能不能做出来

[ Last edited by yn6319 on 2011-5-17 at 19:08 ]

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1楼 2011-05-17 19:05:38

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qianshou

木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

还要考虑半导体是直接带隙还是间接带隙,否则结果是错的,上面的回答不太全面,建议找一个这方面的书看看,

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18楼2011-06-08 08:17:40

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059070225

木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，
其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT,d为厚度（一般测禁带宽度时，使用的是薄膜样品，所以d即为膜厚）；
2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv）^2~hv的曲线图后，采用外推法，在曲线的拐点处做切线，外推至x轴，即f（（ahv）^2）=0时，该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。这就是你图中所对应的3点几eV;
3.hv是光子能量，不是禁带宽度，在这个图中，只表示的是曲线部分的横坐标，与直线无关O(∩_∩)O~。
4.大概就这些，详细的内容，楼主可以查阅一下文献。