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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 交流互助 » 铌酸钠钾陶瓷掺杂改性和A/B位取代的区别
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zhbsuccess

金虫 (小有名气)

[交流] 铌酸钠钾陶瓷掺杂改性和A/B位取代的区别

都是将氧化物按比例混合，然后预烧合成粉体。看到很多文献上把掺杂和A/B替代当成两种方法。窃以为两种方法没有本质区别啊。请高手解答，言之有理则送金币，呵呵。多多参与哦
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1楼 2011-05-03 16:05:17
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mse507

木虫 (正式写手)
★
zhaohaixing(金币+1): 鼓励回答~ 2011-05-06 12:06:18
zhbsuccess(金币+5): 2011-07-18 13:58:48
A/B位取代问题: 高/低价离子的掺杂会引入不同的缺陷,从缺陷化学的角度往往考虑价态。如果只考虑价态，A/B位取代区别似乎不大。但A/B位离子位置的不同往往导致掺杂后材料发生晶格畸变的程度有所不同，而复合缺陷还会使问题变得更加复杂。
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4楼2011-05-05 11:19:57
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mse507

木虫 (正式写手)
★
zhbsuccess(金币+1):谢谢参与
zhbsuccess(金币+5): 2011-05-04 13:44:30
区别大了，试试就知道了。不能单纯从缺陷化学角度考虑问题的。
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2楼2011-05-04 12:28:11
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zhbsuccess

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-04 12:28:11:
区别大了，试试就知道了。不能单纯从缺陷化学角度考虑问题的。

能否请说的明白一点？
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3楼2011-05-04 13:44:09
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lasyia

新虫 (初入文坛)
★
zhbsuccess(金币+1): 谢谢参与
可以通过XPS XRD等表征手段来确定掺杂
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5楼2012-03-19 16:33:03
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