【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨！ - 物理 - 第2页小木虫论坛-学术科研互动平台

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11楼2011-04-23 19:02:19

415131606

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Originally posted by 415131606 at 2011-04-23 19:02:19:
但是在事实GaN LED芯片研发的工程中并不是LED表层的ITO越薄越好，我是试出来的，但是不能解释其中的缘由！

恩。我现在在一家LED公司做的就是GaN lED工艺的研发

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12楼2011-04-24 19:37:05

happyflea

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13楼2011-09-05 00:31:12

chouniuccq

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我对这个了解不多但是感兴趣

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14楼2011-09-08 23:36:22

majieyuan

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先回答您一个我能确保正确的答案：ITO的厚度（无论何种成膜方式），在1100~1300A，2200~2400A及3300~3500A这三个区间会有T%的Peak位置，故蓝光LED界常会选用这三个厚度区间的ITO。
接下来，选择厚度，要考虑chip的注入电流（20mA，350mA还是700mA之类），毕竟ITO是透明导电薄膜，透明影响Chip亮度，导电影响其VF，故，有以下一个鱼和熊掌不可兼得的事情：想要高的亮度，就必须选用薄的ITO（道理很简单，怕ITO吸光），想要低的VF，就必须选用厚的ITO，因为ITO越厚，其表面电阻越小，导电性越偏向体电阻。
另外，楼主的示意图有点不对，P 电极通常被ITO包围起来的，，，，，

15楼2012-05-16 17:28:05

415131606

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引用回帖:

1263737楼: Originally posted by majieyuan at 2012-05-16 17:28:05:
先回答您一个我能确保正确的答案：ITO的厚度（无论何种成膜方式），在1100~1300A，2200~2400A及3300~3500A这三个区间会有T%的Peak位置，故蓝光LED界常会选用这三个厚度区间的ITO。
接下来，选择厚度，要考虑chip ...

芯片的设计不一样，这个是0709小尺寸的

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16楼2012-05-18 16:03:52