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xmcxbjh金虫 (小有名气)
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LPCVD制备多晶硅薄膜及表征中的问题 已有2人参与
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1.用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，我用20PA；通了硅烷，一会后压强突然发生改变，我就把压强调回来；一会后压强又突然改变，我又把压强调回来；我的总的镀膜时间设定为0.5小时，但在这种情况下，20PA时镀膜的时间肯定不准确！ 有谁也出现过这种情况的啊？请高手指点！！ 2.在测方块电阻时，我用的直线型四探针，可是每次探针只要和样品一接触，电流就从0变成正数；如果忽略这个问题，输出电压经常会是负的，而且和电流大小没有关系！ 请高手指点啊！ 3.多晶硅和单晶硅的电阻率谁大谁小啊？ 4.大家测方块电阻都是怎么测啊？能简单说下步骤么？ 上述问题请高手作答，我会自己手工发放金币！ 泣谢！ |
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
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1.用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，我用20PA；通了硅烷，一会后压强突然发生改变，我就把压强调回来；一会后压强又突然改变，我又把压强调回来；我的总的镀膜时间设定为0.5小时，但在这种情况下，20PA时镀膜的时间肯定不准确！ 这种情况在不是最大抽气速率的情况下是常见的，你只能试试抽气速率设的最大，用通入的气体量来调压强。 2.在测方块电阻时，我用的直线型四探针，可是每次探针只要和样品一接触，电流就从0变成正数；如果忽略这个问题，输出电压经常会是负的，而且和电流大小没有关系！ 我们的四探针测试仪是自动的，设置好之后，放上样品，压上针，自动出数据。 3.多晶硅和单晶硅的电阻率谁大谁小啊？ 二者的电阻率和掺杂浓度相关，中等掺杂浓度以下，多晶硅的电阻率高一些。但是高掺杂的情况下，二者其实差不多了就。 |
2楼2011-07-05 00:40:22
xmcxbjh
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