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xmcxbjh

金虫 (小有名气)

[交流] LPCVD制备多晶硅薄膜及表征中的问题 已有2人参与

1.用LPCVD法制备多晶硅薄膜时,我用20PA;通了硅烷,一会后压强突然发生改变,我就把压强调回来;一会后压强又突然改变,我又把压强调回来;我的总的镀膜时间设定为0.5小时,但在这种情况下,20PA时镀膜的时间肯定不准确!
        有谁也出现过这种情况的啊?请高手指点!!

       2.在测方块电阻时,我用的直线型四探针,可是每次探针只要和样品一接触,电流就从0变成正数;如果忽略这个问题,输出电压经常会是负的,而且和电流大小没有关系!
       请高手指点啊!

    3.多晶硅和单晶硅的电阻率谁大谁小啊?
     4.大家测方块电阻都是怎么测啊?能简单说下步骤么?

   上述问题请高手作答,我会自己手工发放金币!
   
   泣谢!
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活到死,学到死!
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knightshui

木虫 (小有名气)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
lovibond(金币+2): 鼓励交流 2011-07-05 09:00:02
1.用LPCVD法制备多晶硅薄膜时,我用20PA;通了硅烷,一会后压强突然发生改变,我就把压强调回来;一会后压强又突然改变,我又把压强调回来;我的总的镀膜时间设定为0.5小时,但在这种情况下,20PA时镀膜的时间肯定不准确!
这种情况在不是最大抽气速率的情况下是常见的,你只能试试抽气速率设的最大,用通入的气体量来调压强。

2.在测方块电阻时,我用的直线型四探针,可是每次探针只要和样品一接触,电流就从0变成正数;如果忽略这个问题,输出电压经常会是负的,而且和电流大小没有关系!
我们的四探针测试仪是自动的,设置好之后,放上样品,压上针,自动出数据。
3.多晶硅和单晶硅的电阻率谁大谁小啊?
二者的电阻率和掺杂浓度相关,中等掺杂浓度以下,多晶硅的电阻率高一些。但是高掺杂的情况下,二者其实差不多了就。
我是棵树
2楼2011-07-05 00:40:22
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xmcxbjh

金虫 (小有名气)

多谢!!!!!!!!!!!!!!
活到死,学到死!
3楼2011-07-05 08:35:44
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hittyk

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
请问楼主是哪里的?我想加工低应力多晶硅薄膜,想请教下。
静以修身,俭以养德
4楼2012-11-13 10:42:32
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