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【求助】请问各位关于单根纳米线FET的制备问题
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keyman_sys
铁虫
(初入文坛)
应助: 0
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金币: 6.5
帖子: 34
在线: 7.8小时
虫号: 635030
注册: 2008-10-24
性别: GG
专业: 光学信息获取与处理
[交流]
【求助】请问各位关于单根纳米线FET的制备问题
已有1人参与
如果要制备单根纳米线的FET,该材料的纳米线的载流子浓度是否有要求,如果过大栅极是否会没有控制效果?载流子浓度一般不能超过多少呢?
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1楼
2011-02-18 14:36:02
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尹延祯2013
新虫
(初入文坛)
应助: 0
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虫号: 5190408
注册: 2016-11-01
性别:
MM
专业: 半导体晶体与薄膜材料
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
掺杂浓度一定是有要求的,太高就会调控不了。同样,纳米线太粗也会有一样的结果。因为纳米线的高度肯定要小于他的德拜长度。
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2楼
2018-03-22 14:40:46
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