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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 【请教】单晶生长中，界面吸附外来增原子的位置（即活性位置）的数量与晶面本身结构的
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lvyanwei91

铜虫 (小有名气)

[交流] 【请教】单晶生长中，界面吸附外来增原子的位置（即活性位置）的数量与晶面本身结构的

各位虫友们！！
  

   请教一个问题哈！！单晶在生长过程中，界面上的活性位置的数量与界面本身的结构有关么？
   
     因为活性位置会影响到界面上增原子覆盖度的高低，而覆盖度则会影响到界面对外来原子的吸附能和脱附能的变化，进而会表现为不同界面的生长对生长环境条件的敏感性高低上，最终影响到环境变化时，不同界面的生长速率变化的程度！！

     不知道有没有专做表面理论研究的达人，或者给个定性的分析或方向都成！！

   多谢多谢哈！！
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大家好，我是一名在读博士生，望大家以后多多交流！！
1楼 2011-02-13 16:32:50
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