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[交流]
【交流】OFET器件的漏极电流与漏电流
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| 在测OFET器件时，测Id-Vg曲线时同时检测Ig-Vg，Id相当小（测得东西其实绝缘，只是为了做对比），为1E-11 A，而Ig还有1E-10，结论是否就可以说材料绝缘，但为什么Id比Ig还小呢，这个Ig是从哪里来的，是SiO2绝缘层还有杂质，使得微弱电流穿透绝缘层吗？ |
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