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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】OFET器件的漏极电流与漏电流
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miraclebelie

金虫 (正式写手)

[交流] 【交流】OFET器件的漏极电流与漏电流

在测OFET器件时，测Id-Vg曲线时同时检测Ig-Vg，Id相当小（测得东西其实绝缘，只是为了做对比），为1E-11 A，而Ig还有1E-10，结论是否就可以说材料绝缘，但为什么Id比Ig还小呢，这个Ig是从哪里来的，是SiO2绝缘层还有杂质，使得微弱电流穿透绝缘层吗？
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1楼 2011-02-05 09:27:04
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miraclebelie

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by linhua0402313 at 2011-02-05 17:38:38:
祝福祝福


祝福祝福  祝福祝福


祝福祝福  祝福祝福


祝福祝福

……这是哪门子的祝福哟~
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3楼2011-02-06 04:15:07
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jacy_cheyn

铁杆木虫 (知名作家)

我做的好像也有漏电的情况，希望有机会和LZ交流下……
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4楼2011-02-22 21:08:36
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linhua04023132楼
2011-02-05 17:38   回复  
lpszk: 请不要随便灌水 2011-02-23 06:21:19
祝福祝福 祝福祝福 祝福祝福 祝福祝福 祝福祝福 祝福祝福
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