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【摘要编号】11004148/A040105
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peihe2010(金币+4, 基金HEPI+1): 2011-01-13 08:45:17
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项目编号 11004148 项目名称 Si基无氧铁电薄膜及其异质结的结构、缺陷与铁电特性研究 项目类型 青年科学基金项目 申报学科1 薄膜和纳米结构的形成(A040105) 申报学科2 薄膜和纳米结构的形成(E010601) 研究性质 应用基础研究 资助金额 22.00万元 开始日期 2011年1月1日 完成日期 2013年12月31日 项目摘要 铁电场效应管（FeFET）具有结构简单、读写速度快、写操作耐久性高、功耗低等优点。采用高介电绝缘层置于氧化物铁电膜和Si之间，虽可阻碍他们之间元素的扩散，却降低了器件的数据保持性能。为了克服该弊端，本课题拟采用II-VI族无氧铁电AxCd1-xS (A=Zn,Mn)薄膜替代高介电绝缘层来制备FeFET，因为AxCd1-xS 与Si基底之间有很好的稳定性。本课题将优化AxCd1-xS薄膜制备过程中的工艺参数，在Si基底上制备出高质量的无氧铁电薄膜和AxCd1-xS/SrBi2Ta2O9异质结，精细测定AxCd1-xS块体和薄膜的晶体结构，研究AxCd1-xS的晶体结构的变化对其铁电性能的影响规律；用正电子湮灭等方法研究AxCd1-xS中铁电性能受缺陷影响的机制；阐述II－VI族无氧铁电薄膜的铁电性能变化的控制规律和机理。最终获得适用于FeFET器件的高性能的AxCd1-xS薄膜及其异质结。 获资助单位 天津大学(项目负责人) |
2楼2011-01-13 08:17:15