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【求助】晶格缺陷与其禁带宽度的关系?
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lishaowen
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【求助】晶格缺陷与其禁带宽度的关系?
如果某半导体缺陷多,其禁带宽度是否会越小?请高人指点
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lishaowen(金币+3):谢谢交流 2011-01-12 13:00:10
严格意义上来说不会,个别情况下大缺陷由于局部的膨胀或压缩而使禁带宽度加宽或变窄,一般缺陷只是形成定域态能级而已
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2楼
2011-01-11 10:48:49
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