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【求助】为什么Hall测试半导体的迁移率、载流子浓度会偏高
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| 请教：我用Hall测试的Ge材料，空穴掺杂浓度~1E17/cm3，但是迁移率却有1E4cm2/v*s —— 这实在太高了。请问，有哪位高手能帮忙解答一下？谢谢！ |
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